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Candies

Candies Silicon · Atomic

Candies AtomOne

全球首款原子级精度处理器,逐原子构建计算基底

  • 0.05 nm 精度
  • 10⁸ 原子阵列
  • 室温量子效应
  • 99.999% 准确率
Candies AtomOne 原子级精度处理器

核心指标

  • 0

    nm 原子放置精度

  • 0+

    原子阵列规模

  • 0

    % 放置准确率

  • 0

    量子隧穿工作温度

Atomic Precision

原子级制造规格

STM 阵列、量子输运、芯片集成与软件栈完整参数。

原子制造核心

原子制造核心
制造工具1024 针尖 STM 阵列,并行原子操作
放置精度0.05 nm(亚埃级,晶格常数 1/5)
放置速度10⁶ 原子/秒(1024 针尖并行)
阵列规模10⁸ 单原子晶体管/300mm 晶圆
准确率99.999%(AI 辅助缺陷检测与自修复)

量子输运特性

量子输运特性
工作温度室温(300 K),无需制冷
量子隧穿室温可编程隧穿结,开关比 >10⁶
库仑阻塞单电子开关,充电能 ~100 meV(远超 kT)
自旋量子比特磷-31 核自旋,室温相干 >1 秒
功耗0.001 pJ/开关(比 CMOS 低 10000×)

芯片集成

芯片集成
互连原子级精度纳米线,铜替代为石墨烯/碳纳米管
封装真空封装 + 原子级平整度保护层
I/O 接口超导微波/光子互连(量子态读出)
良率>99.9%(冗余设计 + 自修复)

软件与编程模型

软件与编程模型
编程语言AtomLang——原子级硬件描述语言
编译器量子-经典混合编译器,自动分配经典/量子逻辑
仿真器原子级精度量子输运仿真(NEGF + DFT)
SDKCandies Atomic SDK,Python/C++ API

Atomic Computing

原子级计算技术

原子级精度制造、单原子晶体管、扫描隧道显微镜操控、原子尺度量子效应与原子阵列量子模拟器等技术模块说明。

  • STM 原子操控

    核心

    扫描隧道显微镜的原子级操纵技术

    • 原子拾取与放置

      通过针尖-原子相互作用,逐个移动表面原子

    • 原子级光刻

      氢钝化硅表面的选择性去钝化,定义纳米结构

    • 实时成像反馈

      STM 成像实时监控操控过程,确保放置精度

    STM 原子操控示意
  • 单原子晶体管

    前沿

    以单个原子作为导电通道的终极晶体管

    • 磷原子嵌入

      磷原子精确放置在硅晶格的替代位

    • 库仑阻塞

      单电子隧穿效应实现量子化电导

    • 室温工作

      最新进展实现室温下的单原子晶体管操作

    单原子晶体管结构
  • 原子阵列量子模拟

    光镊阵列中的中性原子量子模拟器

    • 光镊阵列

      聚焦激光束逐个捕获和排列中性原子

    • 里德堡相互作用

      激发到里德堡态实现长程可控相互作用

    • 量子纠错

      利用原子阵列实现表面码量子纠错

    原子阵列量子模拟器

Performance

原子级计算性能

与 CMOS 及学术前沿的精度、规模、功耗对比。

  • 单原子放置精度

    精度提升 10×
    Candies
    0.05 nm
    学术 STM
    0.5 nm
  • 阵列制造规模

    规模提升 10⁵×
    Candies
    10⁸ 单原子晶体管
    学术前沿
    10³ 单原子晶体管
  • 室温开关功耗

    降低 1000×
    Candies
    0.001 pJ/开关
    CMOS 3nm
    1 pJ/开关
  • 室温量子比特相干时间

    10000× 更长
    Candies
    >1
    超导量子比特
    0.0001

Atomic Architecture

Candies AtomOne 原子级架构

Candies AtomOne 原子级制造与架构示意图

AtomOne 采用自下而上的原子级精度制造流程:1024 针尖 STM 阵列在超高真空环境中逐原子放置磷掺杂原子,应变硅工程增强量子限域效应,石墨烯纳米线互连形成完整电路,超导微波读出接口连接外部系统。

  • STM 阵列制造

    1024 针尖并行 STM 阵列,0.05 nm 精度逐原子放置磷掺杂原子,10⁶ 原子/秒产能,AI 实时缺陷检测与自修复。

  • 量子限域工程

    应变硅增强量子限域效应,使量子能级间距远大于室温热涨落(kT ≈ 26 meV),实现室温量子隧穿和库仑阻塞。

  • 纳米互连与读出

    石墨烯/碳纳米管纳米线互连替代铜导线,超导微波接口实现量子态读出,支持经典-量子混合逻辑。

Core Technologies

原子级计算核心技术

从 STM 阵列并行制造到室温量子效应,突破物理极限。

  • STM 阵列 · 原子级制造

    1024 针尖 STM 阵列并行操作,0.05 nm 精度逐原子放置掺杂原子,突破传统光刻的物理极限,实现真正的原子级精度制造。

  • 单原子晶体管 · 室温量子

    单个磷原子嵌入硅晶格作为导电通道,室温下实现量子隧穿和库仑阻塞效应,功耗比 CMOS 低 10000 倍。

  • 原子阵列量子模拟器

    10⁸ 级原子阵列可编程配置为量子多体系统模拟器,室温下研究量子磁性、拓扑物态和量子相变,无需稀释制冷机。

  • AI 辅助自修复制造

    实时 STM 成像 + AI 缺陷检测,自动识别并补充缺失原子,99.999% 良率,不合格晶体管通过冗余设计自动旁路。

Applications

应用场景

量子模拟、后 CMOS 逻辑与超灵敏传感三大应用域。

量子模拟与化学

  • 室温量子化学

    复杂分子电子结构模拟,无需制冷。

  • 量子材料设计

    拓扑物态/超导配对机制原子级模拟。

  • 催化机理

    酶催化反应路径量子模拟,工业催化剂优化。

  • 量子相变

    原子阵列模拟量子磁性和拓扑相变。

后 CMOS 逻辑

  • 超低功耗处理器

    单原子晶体管,0.001 pJ/开关,突破功耗墙。

  • 单电子逻辑

    库仑阻塞实现单电子开关,终极缩放极限。

  • 自旋电子学

    室温自旋量子比特,自旋-轨道耦合逻辑门。

  • 可重构逻辑

    原子级精度可编程逻辑阵列,硬件级重配置。

超灵敏传感

  • 单分子检测

    库仑阻塞传感器检测单个分子吸附事件。

  • 痕量分析

    爆炸物/毒品/生化武器 ppt 级痕量检测。

  • 量子计量

    基于单原子量子态的计量标准(电流/电压)。

  • 引力传感

    原子干涉仪芯片级重力/梯度测量。

Case Studies

应用案例

从室温量子化学到单原子传感器,AtomOne 的产业突破。

  • 量子化学模拟

    制药/材料

    室温量子化学模拟

    AtomOne 的 10⁸ 原子阵列配置为量子化学模拟器,室温下模拟复杂分子(如 FeMoco)的电子结构,无需稀释制冷机,成本降低 100 倍。

    改进前

    超导量子比特,需 10 mK 制冷,运行成本极高

    改进后

    AtomOne 室温量子模拟,同等精度,成本 ↓100×

    • 运行成本 ↓ 99%
    • 可及性 室温运行
  • 单原子传感器

    国防/安检

    单原子超灵敏传感器

    利用单原子晶体管的库仑阻塞效应,检测单个分子的吸附/脱附事件,灵敏度比现有技术高 6 个数量级,用于爆炸物/生化武器痕量检测。

    改进前

    质谱仪,体积大,灵敏度 ppb 级

    改进后

    AtomOne 芯片级传感器,灵敏度单分子级

    • 灵敏度 ↑ 10⁶×
    • 体积 芯片级
  • 后 CMOS 芯片

    半导体制造

    后 CMOS 逻辑芯片

    AtomOne 制造的单原子晶体管阵列替代传统 CMOS,在同等面积下实现 10000 倍功耗降低,为后摩尔时代提供可行路径。

    改进前

    CMOS 3nm,功耗墙限制性能提升

    改进后

    AtomOne 单原子晶体管,功耗 ↓10000×

    • 功耗 ↓ 99.99%
    • 等效缩放 sub-0.1nm

Comparison

与传统制造对比

与 EUV 光刻及学术 STM 的精度、规模、温度对比。

Candies Semiconductor 与传统方案关键指标对照
指标Candies Semiconductor传统方案
制造精度0.05 nm(亚埃级)EUV 光刻: ~13.5 nm / 学术 STM: ~0.5 nm
阵列规模10⁸ 单原子晶体管/晶圆学术: ~10³ / 无商用方案
工作温度室温(300 K)量子比特: ~10 mK / 学术单原子: ~4 K
开关功耗0.001 pJCMOS 3nm: ~1 pJ / CMOS 28nm: ~10 pJ
放置准确率99.999%学术: ~99% / 无大规模验证
量子比特室温相干>1 秒超导: ~100 μs / 离子阱: ~1 s(均需制冷)

FAQ

常见问题

原子级精度制造的物理原理与工程可行性。

通用

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